p型SiC欧姆接触的研究进展

• 作者: 张静 裴紫微
• 来源期刊: 智能电网(汉斯)
• 学科: 工学
• 关键词: p型SiC 电力电子器件 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 116-128
• 页数: 13页
• 分类号: TN3

摘要

欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触的研究进行了总结,并对其发展前景进行了展望。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张静	北方工业大学微电子学系	15	15	2.0	3.0
2	裴紫微	北方工业大学微电子学系	1	0	0.0	0.0