基于聚合物-量子点共混的量子点发光二极管

• 作者: 彭辉仁 王忆 陈树明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点发光二极管 聚合物PVK 掺杂
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 299-304
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|TN383+.1
• 字数: 4001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163703.0299

摘要

在ITO玻璃上制备了ITO/poly（3,4-ethylene dioxythiophene）∶poly（styrene sulphonate）（PEDOT∶PASS）/poly （N,N-bis（4-butylphenyl）-N,N-bis（phenyl）benzidine（poly-TPD）/QD/1,3,5-Tri（1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl） phenyl（TPBi）/LiF/Al结构的量子点发光二极管（QD-LED）。通过优化量子点的浓度,发现浓度为30 mg/mL时的器件性能最优,最大外量子效率（EQE）为0.83%,最大发光亮度为4076 cd/m2。为了进一步提高QD-LED的发光效率,将QD掺入聚合物poly（N-vinylcarbazole）（PVK）和1,3-Bis（5-（4-（tert-butyl）phenyl）-1,3,4-oxadiazol-2-yl）ben-zene （OXD-7）中,以使得注入的电子和空穴更加平衡,同时还有助于能量传递,降低QD团聚及修饰QD薄膜表面,减少激子猝灭效应等。为此,通过旋涂和蒸镀两步法制备ITO/PEDOT∶PASS/poly-TPD/（PVK∶OXD-7）∶QD/TPBi/LiF/Al结构的器件,改变（PVK∶OXD-7）∶QD比例（1∶1,1∶3,1∶5,0∶1）,发现（PVK∶OXD-7）∶QD为1∶3时的QD-LED具有最优性能,最大EQE为1.97%,相当于非掺杂器件的2.3倍,并且发光峰没有发生偏移。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王忆	五邑大学应用物理与材料学院	59	242	8.0	12.0
2	彭辉仁	五邑大学应用物理与材料学院	2	6	1.0	2.0
6	陈树明	南方科技大学电子与电气工程系	1	5	1.0	1.0