薄膜电路制备中缓冲层对器件性能改善的研究

• 作者: 宋夏 邱颖霞 郭育华 陈帅 魏晓旻
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 缓冲层 溅射
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: SMT PCB
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN45
• 字数: 3877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.02.006

摘要

利用磁控溅射法在氧化铝陶瓷上制备了Cu、Cr/Cu以及Cr/Cr-Cu/Cu，采用台阶仪、XRD、SEM以及半导体测试仪对薄膜的厚度、结构、表面形貌以及电学特性进行了表征与测试，采用胶带法对薄膜的附着力进行了测试。结果表明，Cr缓冲层的存在对薄膜的特性有改善作用。未沉积缓冲时，薄膜结晶度不高，表面粗糙，致密度不高，附着力差。对不同的阻挡层进行比较，当选择了合适的缓冲层以及优化后的沉积工艺后，薄膜的结晶质量有所改善，表面光滑，致密度高，附着力良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱颖霞	中国电子科技集团公司第三十八研究所	17	94	5.0	9.0
2	宋夏	中国电子科技集团公司第三十八研究所	14	32	4.0	4.0
3	陈帅	中国电子科技集团公司第三十八研究所	12	18	4.0	4.0
4	魏晓旻	中国电子科技集团公司第三十八研究所	5	21	3.0	4.0
5	郭育华	中国电子科技集团公司第三十八研究所	7	14	3.0	3.0