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摘要:
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚AlxGg1-xN外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对AlxGa1-xN外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构,通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数,并由此对应变进行定量分析,四个不同Al组分的AlxGa1-xN外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小,并且均小于零,在水平方向上均处于压应变状态.
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文献信息
篇名 蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
来源期刊 半导体光电 学科 化学
关键词 铝镓氮外延膜 MOCVD 高分辨X射线衍射 晶格常数 应变
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 524-527
页数 分类号 O649.1
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘运传 31 80 5.0 7.0
2 孟祥艳 29 80 5.0 7.0
3 周燕萍 28 51 4.0 5.0
4 王雪蓉 22 35 3.0 4.0
5 王康 8 13 2.0 3.0
6 王倩倩 5 7 1.0 2.0
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MOCVD
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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