He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究

• 作者: 刘莉 卢晓波 王勇 王康 王玲 邓爱红 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 钨 氦 正电子湮没 空位型缺陷
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 601-605
• 页数: 5页
• 分类号: TB31
• 字数: 3205字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.0490-6756.2016.05.023

摘要

采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	四川大学物理科学与技术学院	156	990	17.0	26.0
2	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院	26	66	5.0	6.0
3	王玲	东华理工大学核工程与地球物理学院	8	24	3.0	4.0
4	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
5	刘莉	西南民族大学计算机科学与技术学院	32	154	6.0	10.0
6	王康	四川大学物理科学与技术学院	10	9	2.0	2.0
7	卢晓波	四川大学物理科学与技术学院	3	7	2.0	2.0