新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化

• 作者: 于金伟
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: 印制电路板 化学镀钯 工艺 参数优化
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 新技术新工艺
• 页码范围: 14-19
• 页数: 6页
• 分类号: TQ153.19
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2016.01.004

摘要

化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2g/L氯化钯,13.2g/L次磷酸钠,165 mL/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6.验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于金伟		59	146	6.0	7.0