MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究

• 作者: 何凯旋 宋东方 段宝明 郭群英 黄斌
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 202-207
• 页数: 6页
• 分类号: TP393
• 字数: 2157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2016.02.009

摘要

分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究，获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法：在结构层背面溅射金属作为保护层；基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法：将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的SiO2保护层相结合的方式保护。结构保护后，经长时间过刻蚀，结构依然完整无损。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何凯旋		2	5	2.0	2.0
2	郭群英		2	16	2.0	2.0
3	黄斌		1	3	1.0	1.0
4	段宝明		1	3	1.0	1.0
5	宋东方		1	3	1.0	1.0