纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破

• 作者: 于凌宇 刘夏飞
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 研发 突破
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TN60
• 字数: 7247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2016.01.003

摘要

该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破.为我国紧密跟踪记忆元件科技前沿,精准找好切入点,奋力抢占制高点提供一定的技术基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于凌宇	河南大学濮阳工学院	9	3	1.0	1.0
2	刘夏飞		7	2	1.0	1.0