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摘要:
由于CMOS光电探测器存在量子效率低、工作带宽窄等性能问题,为实现更高量子效率的CMOS光电探测器,结合工艺实现性,本文构建了一种新型的SOI CMOS工艺可兼容的光电探测器谐振腔结构。基于底镜采用一层1/4波长(850 nm光波长)奇数倍厚度SiO2,顶镜采用1/4波长偶数倍厚度SiO2的DBR反射镜,形成的SOI基谐振腔结构适用于光通信850 nm光波长的RCE PD器件。数值仿真结果表明,RCE PD器件比CMOS PD器件提高了量子效率,验证了谐振腔结构的正确性。
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文献信息
篇名 SOI基RCE光电探测器谐振腔结构的设计与优化
来源期刊 光电子 学科 工学
关键词 RCE光电探测器 SOI 谐振腔 量子效率
年,卷(期) gdz_2016,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 131-138
页数 8页 分类号 TN3
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程彩莉 杭州电子科技大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
2 刘倩文 杭州电子科技大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
RCE光电探测器
SOI
谐振腔
量子效率
研究起点
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期刊影响力
光电子
季刊
2164-5450
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
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