GaAs（001）-（2×6）重构下的表面形貌及其重构原胞

• 作者: 丁召 周勋 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs(001)-(2×6)重构 表面形貌 As覆盖率 重构原胞
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 4147-4151,4156
• 页数: 6页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 4535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.030

摘要

采用RHEED与STM技术对 GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现 GaAs (001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1．33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合 STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个 As Dimers 和2个 Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的(2×6)重构表面,获得结果与STM图片高度吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学信息学院	46	63	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
3	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
4	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
5	周勋	贵州师范大学物理与电子科学学院	65	213	6.0	12.0