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摘要:
在某些长期服役情况下,部分LED片式COB光源荧光胶发黑,影响了光的转换和取出。利用场发射扫描电镜(FESEM)观察荧光胶表面形貌,并用X射线光电子能谱仪(XPS)分析发黑前后荧光胶层的组成与化学键的变化。结果表明:老化发黑的试样中C的原子分数从59.26%增加至79.05%;Si的原子分数基本没有变化;随着老化发黑程度的加深,C=C键和C=O(O-C=O)键的相对含量分别由54.6%和6.2%降低至30.4%和3.0%,C=C和C=O键被大量分解,形成游离的C和O元素,富积在芯片表面形成了黑色物质。
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文献信息
篇名 LED片式COB光源荧光胶层失效XPS分析
来源期刊 电子工艺技术 学科 工学
关键词 LED失效 COB光源 成分分析 XPS分析
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 63-66,98
页数 5页 分类号 TN31
字数 2980字 语种 中文
DOI 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴懿平 华中科技大学材料科学与工程学院 79 771 16.0 24.0
2 安兵 华中科技大学材料科学与工程学院 43 354 10.0 16.0
3 臧艳丽 华中科技大学材料科学与工程学院 2 3 1.0 1.0
4 刘双喜 华中科技大学材料科学与工程学院 3 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
LED失效
COB光源
成分分析
XPS分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
双月刊
1001-3474
14-1136/TN
大16开
太原市115信箱
22-52
1980
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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