硒化钨拉曼光谱层数效应

• 作者: 冯晶 刘永辉 刘理军 廖文虎 张峰 杨学弦 莫贤通
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 层数 二硒化钨 拉曼频移 有效配位数
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料中的应用
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201601004

摘要

应用键弛豫理论(BOLS)对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析,得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系.澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因:硒化钨层数增加时,拉曼振动模A1g发生蓝移是由于最近邻原子的影响;成键原子控制着硒化钨拉曼E21g模和B21g模的红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖文虎	吉首大学物理与机电工程学院	12	4	2.0	2.0
2	杨学弦	吉首大学物理与机电工程学院	9	3	1.0	1.0
3	张峰	吉首大学物理与机电工程学院	2	4	1.0	2.0
4	刘理军	吉首大学物理与机电工程学院	1	0	0.0	0.0
5	刘永辉	湘潭大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	莫贤通	吉首大学物理与机电工程学院	1	0	0.0	0.0
7	冯晶	吉首大学物理与机电工程学院	1	0	0.0	0.0