退火工艺对硅通孔填充Cu微结构演化与胀出行为的影响

• 作者: 安彤 王瑞铭 秦飞 赵静毅 陈思
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 电镀Cu 退火 微结构 胀出量
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 202-208
• 页数: 7页
• 分类号: TG425.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11900/0412.1961.2015.00308

摘要

采用不同电流密度和外加剂浓度将Cu电镀填充到硅通孔(TSV)制作晶圆试样,将试样置于Ar气环境内进行退火处理.观测了硅通孔填充Cu (TSV-Cu)的胀出量和界面完整性,分析了电镀参数对填充Cu微结构(晶粒尺寸)以及微结构对填充Cu退火胀出量的影响.结果表明,电流密度和外加剂浓度影响TSV-Cu的晶粒尺寸.电流密度越高,晶粒尺寸越小;外加剂浓度越高,晶粒尺寸越小,但其影响程度不如电流密度显著.退火后,Cu的晶粒尺寸变大,TSV-Cu发生胀出,胀出量与Cu晶粒尺寸具有正相关的关系.随着TSV-Cu的胀出,Cu-Si界面发生开裂,裂纹沿界面层中的Cu种子层内部延伸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦飞		43	262	10.0	14.0
2	安彤		14	57	4.0	7.0
3	陈思		7	52	3.0	7.0
4	王瑞铭		1	0	0.0	0.0
5	赵静毅		1	0	0.0	0.0