ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究

• 作者: 吴斯泰 姚函妤 李玉芳 沈小亮 沈鸿烈
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO/TiW双层薄膜 欧姆接触 p型单晶硅 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1187-1192
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.10.17

摘要

利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/TiW双层薄膜.采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/TiW双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/TiW双层薄膜与p-Si接触的I-V曲线以及比接触电阻.结果表明TiW薄膜厚度为8 nm时,ITO/TiW双层薄膜的光电性能最优,还发现TiW薄膜的引入有利于ITO薄膜的晶粒长大.ITO薄膜与p-Si之间插入TiW层可以改善接触性能,ITO/TiW(8 nm)与p-Si接触的比接触电阻最低为4.1×10-4Ω·cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	93	264	9.0	10.0
3	李玉芳	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	40	223	9.0	13.0
4	吴斯泰	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	3	1	1.0	1.0
7	姚函妤	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	7	6	1.0	2.0
8	沈小亮	南京航空航天大学材料科学与技术学院	2	1	1.0	1.0