In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

• 作者: 佟占勇 孙喜桂 庞晓露 杨会生 高克玮
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: PbSe薄膜 掺杂 磁控溅射 能带结构 光电敏感性
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 12-21
• 页数: 10页
• 分类号: TN362
• 字数: 5661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2016.02.003

摘要

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性能的影响.结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高.这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的.而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄膜相近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高克玮	北京科技大学材料学院	110	613	13.0	19.0
2	庞晓露	北京科技大学材料学院	27	38	3.0	4.0
3	杨会生	北京科技大学材料学院	21	118	6.0	10.0
4	孙喜桂	北京科技大学材料学院	2	1	1.0	1.0