一种X波段低插损5位数控衰减器设计

• 作者: 徐艳蒙
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: NMOS开关 相控阵 数控衰减器 插损补偿 混合结构
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 34-38,57
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2016.004.008

摘要

该文基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 dB;所有状态的相移小于7.;输入端口回波损耗小于-15.7 dB,输出端口回波损耗小于-16.65 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐艳蒙	天津大学电子信息工程学院	2	5	2.0	2.0