利用MIVM模型预测冶金级硅真空精炼过程杂质的挥发特性

• 作者: 于强 伍继君 刘凯 戴永年 杨斌 马文会 魏奎先
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子相互作用体积模型 冶金级硅 真空蒸馏 气液相平衡
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 真空冶炼
• 页码范围: 1193-1199
• 分类号: TF131
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.10.18

摘要

运用分子相互作用体积模型预测了二元硅基熔体中Zn、Sb、Mg、Mn、Cu和Sn的活度系数.结合模型所得的对势能相互作用B参数和活度等热力学数据,计算了硅与各杂质元素形成的二元系蒸发系数和挥发速率,绘制出了硅基合金蒸馏过程中的气液相平衡图.研究结果表明,模型所预测的活度值与实验值吻合很好,真空精炼有利于Sb、Zn、Mg从硅熔体中分离,而Mn、Cu、Sn难以分离.硅中的各杂质的蒸发行为受其活度和温度的联合控制.本文通过对冶金硅中杂质挥发性质的研究,为真空提纯冶金级硅提供了可靠的理论依据.