利用磁控溅射法在阳极氧化铝(AAO)模板上制备了 Ni 亚微米柱阵列,研究了不同退火温度对 Ni 亚微米柱阵列结构稳定性的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对不同退火温度下制备的Ni亚微米柱阵列的晶体结构以及表面形貌进行了表征。结果表明,磁控溅射法制备的Ni亚微米柱阵列具有多晶的面心立方结构,排列规则、粗细均匀,其直径约为400 nm。经400℃退火后,开始形成Al1.1 Ni0.9和AlNi金属间化合物。500℃退火后,出现空心Ni亚微米柱,且Ni亚微米柱体积膨胀变粗。600℃退火后,Ni亚微米柱部分脱落。