LED光电器件的性能调控

• 作者: 姚惠林 宋丽君 王波 路纲
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 量子效率 效率下降 电子阻挡层
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 激光技术与器件
• 页码范围: 301-305
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2016.03.007

摘要

通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管(LED)器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因.对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降.所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率.结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚惠林	洛阳理工学院电气工程与自动化学院	11	14	3.0	3.0
2	宋丽君	洛阳理工学院电气工程与自动化学院	14	29	3.0	4.0
3	路纲	洛阳理工学院电气工程与自动化学院	7	4	1.0	2.0
4	王波	洛阳理工学院电气工程与自动化学院	9	26	3.0	4.0