扶手椅型多壁硅纳米管电子特性的密度泛函理论研究

• 作者: 刘登辉 唐宇超 姚程鹏 祝恒江
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 化学
• 关键词: 硅纳米管 密度泛函理论 结构优化 带隙
• 年，卷（期）: clkx_2016,（3）
• 页码范围: 207-213
• 页数: 7页
• 分类号: O64

摘要

一维硅纳米材料以其特有的光学、电学和半导体特性受到国际上广泛的关注,现已成为纳米科学家研究的热点之一。硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景。由于硅元素为易于形成线状结构的SP3杂化,硅纳米管的制备合成比较困难,目前硅纳米管的研究依然处于初期阶段。本文采用密度泛函理论对三壁硅纳米管进行结构优化和频率计算,获得其电子性质,并得出了其带隙随着尺寸的增加而逐渐减小的性质。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝恒江	新疆师范大学物理与电子工程学院	49	263	8.0	14.0
2	唐宇超	新疆师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0
3	刘登辉	新疆师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
4	姚程鹏	新疆师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0