硒酸对ZTS晶体生长的影响研究

• 作者: 常新安 涂衡 禹化健 肖卫强 陈学安
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 物理学
• 关键词: ZTS 硒酸 亚稳区 诱导期 晶体生长
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 1-4,7
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 3733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16247/j.cnki.23-1171/tq.20160301

摘要

以H2SeO4为添加剂，通过亚稳区宽度和诱导期的测定考察了不同添加浓度下ZTS溶液的稳定性，采用水溶液降温法进行了在同样添加条件下ZTS的晶体生长实验。结果表明，在实验浓度范围内，随着H2SeO4浓度的增大，ZTS溶液稳定性得到一定提高；H2SeO4的添加使ZTS晶体的a向生长速度明显增大，母液包藏减轻；微量的SeO42-掺入晶体使ZTS晶胞参数略微增大，但晶体结构未发生改变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常新安	北京工业大学材料科学与工程学院	52	425	11.0	18.0
2	肖卫强	北京工业大学北京工业大学固体微结构与性能研究所	47	227	7.0	12.0
3	陈学安	北京工业大学材料科学与工程学院	26	98	6.0	8.0
4	涂衡	中国科学院理化技术研究所	5	1	1.0	1.0
5	禹化健	北京工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0