碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用

• 作者: HAFOM
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 碳化硅半导体SiC 功率器件
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3235字
• 语种: 中文

摘要

以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(Silicon Carbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中.本文分析了SiC肖特基二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块,以及SiC的扩展产品IGBT和IPM的器件特性.