二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质

• 作者: 王佛松 田洪坤 耿延候 董少强
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 有机半导体 酞菁 溶液加工 有机薄膜晶体管 迁移率
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 专题:共轭分子合成与功能
• 页码范围: 315-324
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972015-00665

摘要

设计与合成了2,3-二辛基酞菁氧钒(2,3-C8OVPc),2,16(17)-二辛基酞菁氧钒(dp-C8OVPc),1,15-二辛基酞菁氧钒(1,15-C8OVPc)和1,18-二辛基酞菁氧钒(1,18-C8OVPc)4种可溶性酞菁氧钒衍生物,研究了辛基位置对该类化合物的物理化学性质、固态薄膜形貌和有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能的影响.在溶液状态下,辛基的位置对共轭分子的吸收光谱和前线轨道能级影响很小,它们的最大吸收峰均在700 nm左右,最高被占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)能级分别约为-5.20和-3.80 eV.在薄膜状态下,吸收光谱显著红移,且红移幅度与辛基的位置有关.4个化合物在薄膜中均以edge-on的方式排列,由它们制备的底栅-顶接触型OTFT器件的迁移率均大于0.1 cm2/(V s),其中2,3-C8OVPc的迁移率最高,达到0.19 cm2/(V s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王佛松	中国科学院长春应用化学研究所	61	1112	16.0	32.0
2	董少强	中国科学院长春应用化学研究所	3	7	1.0	2.0
3	田洪坤	中国科学院长春应用化学研究所	3	15	2.0	3.0
4	耿延候	中国科学院长春应用化学研究所	5	321	3.0	5.0