线阵碲镉汞探测器致损单元反常响应机理研究

• 作者: 杨海峰 王毕艺 王睿 程湘爱 许中杰 邱伟成
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe线阵探测器 激光 反常响应 耗尽层电阻 响区蓝移 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 181-185,189
• 分类号: TN304.91
• 语种: 中文

摘要

用1064 nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器,随着激光能量的增大,探测单元出现了不同程度的损伤,发现了致损单元的反常响应现象,致损单元响区蓝移,对波长为1064 nm的光响应灵敏度明显增强.结果表明:受损单元p型碲镉汞层出现汞析出现象后,受损光敏元碲镉汞材料组分和载流子浓度发生变化,pn结耗尽层宽度的变化导致pn结等效电阻变化,这是导致芯片损伤单元出现反常响应的主要因素.研究发现受损光敏元随着碲镉汞材料组分增大,碲镉汞材料能带禁带宽度增大,使探测器响区出现蓝移现象,这是损伤单元对波长为1064 nm激光响应更加灵敏的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程湘爱	国防科学技术大学光电科学与工程学院	47	437	12.0	17.0
2	许中杰	国防科学技术大学光电科学与工程学院	14	61	5.0	7.0
3	王睿	国防科学技术大学光电科学与工程学院	22	123	7.0	10.0
4	杨海峰	国防科学技术大学光电科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	邱伟成	国防科学技术大学光电科学与工程学院	4	15	2.0	3.0