一种带密勒补偿的带隙基准电压源

• 作者: 田磊
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: 带隙基准 密勒补偿 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与化学研究
• 页码范围: 486-490
• 页数: 5页
• 分类号: TN102
• 语种: 中文

摘要

设计了一款宽温度范围并带有密勒补偿的带隙电压基准电路,基准输出可通过内接电阻调节.该电压源以带隙基准电路为基本电路,扩展预偏置电路和输出缓冲电路.此电路基于0.35μm CMOS工艺,利用Cadence仿真工具进行验证,结果表明该带隙基准的输入电压为2.3~4 V,可以输出受温度变化影响较小的高精度电压,低频时的电源抑制比为84 dB,基于以上性能优点,该基准电路可以应用于温度较宽的集成电路设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田磊	西安邮电大学电子工程学院	23	91	5.0	9.0