聚酰亚胺纳米复合薄膜耐电晕机理研究

• 作者: 吴广宁 吴旭辉 张兴涛 朱健 杨雁 钟鑫
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 PI/Al2O3薄膜 电导率 热失重 耐电晕机理
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 创刊50周年特辑
• 页码范围: 17-20,25
• 页数: 5页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.08.003

摘要

聚酰亚胺(Polyimide,PI)因其具有良好的热稳定性和优异的耐电晕特性广泛应用于变频电机中,添加纳米粒子可以有效提高PI薄膜的绝缘性能.为了系统的研究PI纳米复合薄膜的耐电晕机理,利用原位聚合法制备了纯PI膜和纳米Al2O3掺杂的PI膜,测试两种薄膜的表面电导率、体积电导率、热失重(TGA)以及高频方波脉冲下的耐电晕时间,并用SEM观测两种薄膜击穿后的表面形貌.结果表明:添加纳米粒子使PI薄膜的电导率、热分解温度和耐电晕时间增加;电晕放电的侵蚀使得两种薄膜表面都出现微孔和沟壑,PI/Al2O3薄膜表面析出纳米粒子;在电晕侵蚀过程中,纳米PI薄膜强的表面电荷扩散能力和高的热稳定性,加上析出的纳米粒子对电子和光子的屏蔽阻挡作用,是PI薄膜耐电晕性能增强的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁	西南交通大学电气工程学院	458	6939	39.0	56.0
2	张兴涛	西南交通大学电气工程学院	11	13	2.0	3.0
3	杨雁	西南交通大学电气工程学院	15	13	2.0	3.0
4	钟鑫	西南交通大学电气工程学院	15	32	3.0	5.0
5	吴旭辉	西南交通大学电气工程学院	12	13	2.0	3.0
6	朱健	西南交通大学电气工程学院	8	27	3.0	5.0