一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用

• 作者: 乔明 叶珂
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外线氧化 NiO薄膜 NiO/Si异质结二极管
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 2600字
• 语种: 中文

摘要

利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管.使用JASCO NRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响.实验结果表明:氧化时间为60 min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30 min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性.通过Phillips X'Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,Keysight B 1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	叶珂	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0