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摘要:
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律.研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的.溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到106.此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大.
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文献信息
篇名 溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 溅射气压 铟锡锌氧化物薄膜晶体管 磁控溅射 光学带隙
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 功能薄膜
研究方向 页码范围 391-396
页数 分类号 TN321+.5
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.04.03
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨田林 山东大学空间科学与物理学院 16 117 5.0 10.0
2 李延辉 山东大学空间科学与物理学院 9 32 4.0 5.0
3 宋淑梅 山东大学空间科学与物理学院 15 40 4.0 6.0
4 赵继凤 山东大学空间科学与物理学院 3 6 2.0 2.0
5 刘媛媛 山东大学空间科学与物理学院 7 12 2.0 3.0
6 辛艳青 山东大学空间科学与物理学院 10 32 4.0 5.0
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研究主题发展历程
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溅射气压
铟锡锌氧化物薄膜晶体管
磁控溅射
光学带隙
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真空科学与技术学报
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11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
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