Mn掺杂对热蒸发制备Mg2-xMnxSi薄膜结构和电学特性的影响

• 作者: 吴宏仙 廖杨芳 张晋敏 房迪 王善兰 谢泉
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 热蒸发 Mn掺杂 Mg2-xMnxSi薄膜 电学性质
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用热蒸发镀膜方法制备Mg2-xMnxSi(原子比x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08)半导体薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微(AFM)对Mg2xMnxSi薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,用四探针仪测试样品的电阻率,研究Mn掺杂量对Mg2Si薄膜结构和电阻率的影响.结果表明,在Si(111)衬底上制备Mg2-xMnx Si多晶薄膜,其衍射峰(220)、(200)和(111)随Mn含量的增加逐渐增强.当x=0.02-0.06时,制备的Mg2-xMnx Si薄膜具有较低的平均粗糙度和RMS(Root Mean Square)粗糙度.Mn掺杂降低了Mg2Si薄膜的电阻率,且电阻率随着掺杂量的增加呈现下降趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	张晋敏		47	261	7.0	15.0
3	廖杨芳		7	3	1.0	1.0
4	房迪		2	0	0.0	0.0
5	吴宏仙		2	2	1.0	1.0
6	王善兰		1	0	0.0	0.0