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摘要:
意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmesh TM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。
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文献信息
篇名 意法半导体推出新款功率MOSFET
来源期刊 电源世界 学科 工学
关键词 功率MOSFET 意法半导体 汽车市场 测试认证 快速恢复 制造工艺 电压范围 N沟道
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 19-19
页数 1页 分类号 TP333.5
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研究主题发展历程
节点文献
功率MOSFET
意法半导体
汽车市场
测试认证
快速恢复
制造工艺
电压范围
N沟道
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源世界
双月刊
1561-0349
大16开
北京市团结湖北路2号
1998
chi
出版文献量(篇)
8016
总下载数(次)
25
总被引数(次)
6309
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