平栅型双层膜的场致发射性能研究

• 作者: 张国成 林金阳 谢文明 陈知新
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平栅结构 场发射 双层膜 SnO2
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 1845-1848,1853
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2220字
• 语种: 中文

摘要

通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低.在阳压为3000 V,隔离子高度为500 μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1％左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小.该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金阳	福建工程学院信息学院	19	59	5.0	7.0
2	陈知新	福建工程学院信息学院	8	5	2.0	2.0
3	张国成	福建工程学院信息学院	12	9	2.0	2.0
4	谢文明	福建工程学院信息学院	8	2	1.0	1.0