铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备及性能研究

• 作者: 姚礼 李广录 杨旭 毛荷英 焦峰 王海宏 马群刚 黄雪峰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓锌氧化物半导体 氧分压 退火 膜厚均一性
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 397-401
• 分类号: TN383.+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.04.04

摘要

为了实现高质量刻蚀阻挡型InGaZnO薄膜晶体管(IGZO TFT)器件,研究了IGZO TFT关键制备工艺,其中重点探讨了IGZO成膜氧分压、退火工艺、IGZO成膜均一性对于IGZO TFT电学特性的影响.通过优化成膜和退火工艺在G6玻璃基板上制作的IGZO TFT器件,阈值电压0.72 V,亚阈值摆幅0.2 V/dec,迁移率9.57 cm2/V·s,Ion/Ioff＞ 108,IGZO TFT大基板阈值电压均一性最大偏差小于2V.最后进行了IGZO TFT长期稳定性测试以及正负偏压应力测试,结果表明IGZO TFT器件经过长时间空气暴露会导致特性劣化,负向偏压应力劣化较为明显.所制备的刻蚀阻挡型IGZO TFT器件可以满足高质量液晶显示的要求.