金属/La2O3/Si结构电流机制研究

• 作者: 仇庆林 方泽波 朱燕艳
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k栅介质 漏电流 能带结构
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 18-22,26
• 页数: 6页
• 分类号: O485
• 字数: 3727字
• 语种: 中文

摘要

La2O3是一种高k栅介质材料.本文采磁控溅射方法制备了硅基La2O3薄膜,用热蒸发法在薄膜表面分别制备了Al和Pt电极,采用电流-电压法研究了上述金属/La2O3/Si结构的漏电流机制.研究发现,在常温下,金属/La2O3/Si结构的主要漏电流机制是由FP发射所支配.在液氮温度下,对于Al/La2O3/Si结构,不管是正向偏压还是反向偏压,在高场下,曲线很好地满足FN隧穿的线性关系.从这些电流特性,得到了金属/La2O3与La2O3/Si的能带偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波		15	18	2.0	3.0
2	朱燕艳		21	14	2.0	3.0
3	仇庆林		2	1	1.0	1.0