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摘要:
利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件.HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24 nm降低至0.16nm.Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al2 O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大.研究证明,溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层.
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文献信息
篇名 溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 溶液法 薄膜晶体管 界面修饰层Al2O3
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 50-55
页数 6页 分类号 TN321.5
字数 3098字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20163701.0050
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张建华 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 106 709 13.0 21.0
2 李喜峰 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 21 70 5.0 6.0
3 高娅娜 上海大学材料科学与工程学院 3 9 2.0 3.0
7 许云龙 上海大学材料科学与工程学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
溶液法
薄膜晶体管
界面修饰层Al2O3
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
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月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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