在高温条件下,SiC 功率器件拥有极具潜力的应用前景.为实现安全可靠的 SiC 金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)高温驱动技术,利用现有商业化的200℃高温元件,提出一种基于离散器件的带欠压锁定(under voltage lock out,UVLO)的高温栅极驱动电路.通过对比所提出的离散器件解决方案与现有集成电路解决方案,说明采用离散器件设计的可行性.最后,PSpice仿真验证该驱动电路在180℃条件下的高温运行特性,获得了较为理想的效果.