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摘要:
在高温条件下,SiC 功率器件拥有极具潜力的应用前景.为实现安全可靠的 SiC 金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)高温驱动技术,利用现有商业化的200℃高温元件,提出一种基于离散器件的带欠压锁定(under voltage lock out,UVLO)的高温栅极驱动电路.通过对比所提出的离散器件解决方案与现有集成电路解决方案,说明采用离散器件设计的可行性.最后,PSpice仿真验证该驱动电路在180℃条件下的高温运行特性,获得了较为理想的效果.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种带有欠压锁定的高温栅极驱动电路
来源期刊 智能电网 学科 工学
关键词 高温 碳化硅 驱动电路 欠压锁定
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目 应用与设计
研究方向 页码范围 39-43
页数 5页 分类号 TN38
字数 387字 语种 中文
DOI 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵波 国网智能电网研究院电力电子研究所 13 184 6.0 13.0
2 周哲 国网智能电网研究院电力电子研究所 3 38 2.0 3.0
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
高温
碳化硅
驱动电路
欠压锁定
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
智能电网
月刊
2095-5944
10-1140/TK
大16开
北京市昌平区未来科技城
82-910
2013
chi
出版文献量(篇)
784
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5
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3339
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