负偏压对磁控溅射Mg 2 Si薄膜的影响

• 作者: 廖杨芳 梁枫 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2Si薄膜 负偏压 磁控溅射 沉积速率 表面形貌 电阻率
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.04.009

摘要

采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg 2 Si半导体薄膜，研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg 2 Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明，随着负偏压的增大，因压实膜层和二次溅射效应，Mg膜的沉积速率越来越小；在未加负偏压时，Mg 2 Si薄膜的衍射峰最强、样品表面平整致密，当衬底加上负偏压后，Mg 2 Si衍射峰都有所减弱，样品表面变得凹凸不平；当负偏压达到–150 V时，表面已呈现明显的熔融状态，表明负偏压对Mg2Si薄膜的晶体结构没有有益影响。Mg2Si薄膜的电阻率随着所加负偏压的增大先减小后增大，并在–90 V时达到最小值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	廖杨芳	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	7	2	1.0	1.0
4	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
7	梁枫	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	1	0	0.0	0.0