超短抽运脉冲作用下半导体光放大器增益超快恢复过程分析

• 作者: 余震虹 王丹
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 非线性光学 半导体光放大器 超快恢复过程 归一化输出增益 相移
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 非线性光学
• 页码范围: 183-188
• 页数: 6页
• 分类号: TN929
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/LOP53.011902

摘要

为了对半导体光放大器(SOA)进行动态模拟,从超快非线性效应的传输方程和载流子速率方程出发,分别研究了载流子浓度脉动(CDP)、载流子加热(CH)、光谱烧孔(SHB)效应对SOA输出增益和相位的影响,并改变输入脉冲峰值功率和SOA的弛豫时间模拟CH增益曲线的变化情况.结果表明,在超快恢复过程中,载流子加热效应对增益饱和的贡献较大,SHB效应贡献的较少,CDP效应则产生缓慢恢复过程.CDP效应是产生非线性相移的最主要原因,SHB效应对探测光相移的贡献可以忽略不计,CH效应可以产生约0.8 rad的相移贡献.CH效应的强度大小可以影响增益饱和以及相位变化的程度,但不能够缩短超快恢复过程的时间.输入脉冲的能量能够改变CH增益的饱和程度,随着弛豫时间的缩短,CH效应的峰值时间和SOA增益超快恢复时间都逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余震虹		56	205	8.0	10.0
2	王丹		26	43	4.0	6.0