热处理温度对制备β-SiC 结合 SiC 材料的影响

• 作者: 张涛
• 来源期刊: 耐火材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅材料 β-SiC 晶须 气固反应机制
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 122-124,135
• 页数: 4页
• 分类号: TQ175
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1935.2016.02.010

摘要

以绿碳化硅、单质硅和炭黑微粉为原料，以聚乙烯基吡咯烷酮（K90）为结合剂，采用注浆工艺制备碳化硅坯体，然后在埋炭（焦炭）保护气氛中分别于1000、1200、1420和1510℃保温3 h 热处理，主要研究了热处理温度对β-SiC 结合 SiC 材料的致密度、强度、物相组成、显微结构等的影响，并探讨了β-SiC 的生成生长机制。结果表明：1000℃热处理后试样的致密度和强度较低，没有生成β-SiC；1200和1420℃热处理后试样的致密度和强度均比1000℃热处理后试样的大，并且生成了较多β-SiC 晶须；1510℃热处理后试样的致密度和强度均比1200和1420℃热处理后试样的小，并且生成的β-SiC 晶须的长径比也比1200和1420℃热处理后试样的小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张涛		6	21	3.0	4.0