新一代封装PrimePACKTM3+提升IGBT5模块性能

• 作者: Andre R.Stegner Wilhelm Rusche 赵振波
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT5 PrimePACKTM3+ .XT技术 电流密度
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 26-29,38
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.01.006

摘要

为了充分发挥IGBT5所具有的高结温特点,新一代PrimePACKTM3+封装结合最新的.XT技术和新的设计方法,在保持PrimePACKTM3封装尺寸的基础上确保模块输出更大的电流.PrimePACKTM3+模块内部增加了一个交流母排和交流输出功率端子,使其电流输出能力提升近30％,且在相比PrimePACKTM3芯片最高允许工作温度增加了25℃的情况下仍可有效地降低模块内部的最高温度水平.IGBT5芯片提高了电流密度,在相同模块封装尺寸下,需优化器件以实现软关断特性和损耗之间的平衡关系,从而降低尖峰关断电压水平,满足在RBSOA区(反向偏压安全工作区)的重复关断电流能力需求.