先进射频封装技术发展面临的挑战

• 作者: 夏雨楠 戴洲 李华新 程凯 许丽清 陈宇宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 中介层 3D封装 氮化镓
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 6481字
• 语种: 中文

摘要

随着射频技术的广泛应用和发展,射频封装已经呈现出更高密度功能集成、更高功率、更高频率和更低成本的发展要求.在这些要求下,3D封装、大功率射频器件集成、多种信号混合集成、硅中道工艺顺应而出.相对于传统射频封装,基于硅中道工艺的先进射频封装面临结构、热管理、信号完整性和工艺等多方面的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴洲		3	3	1.0	1.0
2	程凯		10	22	3.0	4.0
3	许丽清		3	5	2.0	2.0
4	陈宇宁		3	5	2.0	2.0
5	夏雨楠		2	4	2.0	2.0
6	李华新		1	2	1.0	1.0