Cu2O氧气流量对ZnO-Cu2O薄膜异质结特性的影响

• 作者: 吕佩伟 施洋 翁卫祥 马靖
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 氧化亚铜 氧气流量 薄膜 异质结 I-V特性
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.04.007

摘要

利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对 Cu2O 单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响，并分析了不同氧气流量制备的Cu2O对ZnO-Cu2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明：ZnO-Cu2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性，样品的正向阈值电压随着Cu2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品（氧气流量为10.6 sccm）具有较小的串联电阻和泄露电阻，以及较大的载流子浓度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁卫祥	福州大学物理与信息工程学院	11	17	3.0	4.0
2	马靖	福州大学物理与信息工程学院	36	88	5.0	8.0
3	施洋	福州大学物理与信息工程学院	6	6	1.0	2.0
4	吕佩伟	福州大学物理与信息工程学院	8	6	1.0	2.0