1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 顾春德 马荣晶 黄宇
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率MOSFET 非钳位重复应力 退化
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 130-134
• 页数: 5页
• 分类号: TP368.1
• 字数: 1968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.01.019

摘要

本文首次研究了1.2kV碳化硅(Silicon Carbide,SiC) MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电荷的存在使得器件的导通电阻与阈值电压出现下降,关态漏电流出现上升.