NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

• 作者: 周朝锋 李晓波 陈亮
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: NAND Flash工艺制程 浮栅 控制栅 干法蚀刻 良率
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2337字
• 语种: 中文

摘要

随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升.NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位.产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素.其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因.经分析,整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性,浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效.着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进,改善浮栅和控制栅物理结构,防止写入失效,从而得到最佳的良率.