0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS研究

• 作者: 冯喆韻 汪铭 马千成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 低导通态电阻 完全隔离型
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2031字
• 语种: 中文

摘要

介绍一组基于0.18 μm逻辑平台构建的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS.该组LDMOS涵盖10～30 V应用电压.该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压.针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS.其导通态电阻(Ron)为4.4 mΩ.mm-2对应击穿电压(BV)-20 V,21 mΩ.mm-2对应击穿电压(BV)-41 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯喆韻		1	1	1.0	1.0
2	马千成		1	1	1.0	1.0
3	汪铭		1	1	1.0	1.0