功率器件中影响Trench MOS栅氧生长的因素以及工艺选用对栅氧击穿电压的影响

• 作者: 楼颖颖 贾璐
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: trenchMOS 栅氧 击穿电压
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 24-30
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 4195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.09.006

摘要

介绍功率器件中Trench MOS栅氧的物理性质、击穿电压指标和常规在线检测分析方法.从实验出发,详细分析影响Trench MOS栅氧击穿电压的工艺生长的因素,进一步提出不同栅氧工艺的选用对栅氧G-S击穿电压的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	楼颖颖		1	0	0.0	0.0
2	贾璐		2	1	1.0	1.0