应用镁金属化学还原法制备多孔 Si/Si-O-C 负极材料机理研究

• 作者: 刘相 谢凯 郑春满 韩喻
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si /Si-O-C 负极材料 镁金属 还原 机理
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 航天工程?材料科学与工程
• 页码范围: 107-111
• 页数: 5页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 3708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.201603018

摘要

以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备 Si-O-C 材料，利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备多孔的 Si ／Si-O-C 负极材料。利用 X 射线衍射、能谱分析、元素分析和场发射扫描电镜分析多孔 Si ／Si-O-C 负极材料的组成、结构、形貌，从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔 Si ／Si-O-C 负极材料的机理。结果表明，镁金属在还原过程中生成 MgO 和 Mg2 SiO4等产物，经 HCl 洗涤后可形成多孔的 Si ／Si-O-C 负极材料。Si ／Si-O-C 材料中的单质硅分布于多孔的 Si-O-C 相中，一定程度上可缓解 Si 在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原 Si-O-C 材料制备多孔 Si ／Si-O-C 材料是一种可行的制备方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑春满	国防科技大学航天科学与工程学院	37	249	8.0	13.0
2	谢凯	国防科技大学航天科学与工程学院	73	638	14.0	20.0
3	韩喻	国防科技大学航天科学与工程学院	6	25	2.0	5.0
4	刘相	国防科技大学航天科学与工程学院	2	2	1.0	1.0