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摘要:
为了研究热丝温度对a-SiNx:H薄膜性能的影响,采用热丝化学气相沉积法,以SiH4,NH3,H2为反应气源,改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外-可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知,当热丝温度为1645℃时,H含量最大,N含量最小,同时其折射率最高,薄膜材料的有序度增大;当热丝温度为1713℃时,H含量减少,N含量达到最大,且随着热丝温度增大,薄膜中N含量又开始下降,内部缺陷态密度增加。结果表明,热丝法制备a-SiNx :H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃~1680℃之间,此时所制备的薄膜折射率为2.0,适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层,且具有较充分的氮、氢含量,薄膜结构、性能稳定。
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关键词热度
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文献信息
篇名 a-SiNx:H 薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究
来源期刊 激光技术 学科 物理学
关键词 薄膜 SiNx:H 光致发光光谱 键合结构 热丝化学气相沉积
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 ? 激光材料和光学元件?
研究方向 页码范围 413-416
页数 4页 分类号 O484.4+1
字数 3112字 语种 中文
DOI 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2016.03.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周炳卿 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 45 134 6.0 8.0
2 张林睿 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 16 48 4.0 5.0
3 路晓翠 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 2 5 2.0 2.0
4 张娜 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 15 8 2.0 2.0
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薄膜
SiNx:H
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激光技术
双月刊
1001-3806
51-1125/TN
大16开
四川省成都市238信箱
62-74
1971
chi
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