VDMOS 器件动态特性研究

• 作者: 姜立娟 郑莹
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 器件 动态特性 氧化层 阈值电压 导通电阻 栅电荷
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2016.02.005

摘要

VDMOS 器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点，被广泛应用于高频开关器件领域。利用 TCAD 软件对 VDMOS 器件进行建模仿真，研究了元胞 P 阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明，器件的阈值电压不变，器件的导通电阻随着元胞 P 阱间氧化层厚度的增加而增加，器件的栅电荷随着元胞 P 阱间氧化层厚度的增加而减小，二者相互矛盾，但器件功耗优值明显提高。同时采取 JFET 注入技术降低导通电阻，使得器件的动态性能进一步改善，对高频 VDMOS 器件的应用具有一定的指导意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑莹	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	9	1.0	3.0
2	姜立娟	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	4	1.0	2.0