PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响

• 作者: 罗文强 蔡宣敬 邓宁 魏榕山
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 PVP掺杂PEDOT∶ PSS 弛豫时间常数
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 1751-1755
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 1615字
• 语种: 中文

摘要

采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
2	魏榕山	福州大学物理与信息工程学院	37	39	3.0	4.0
3	蔡宣敬	福州大学物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
4	罗文强	清华大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0