HfGdO/Ge异质结的制备及其能带排列

• 作者: 孙孟君 朱燕艳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: HfGdO/Ge异质结 高k栅介质 磁控溅射 X射线光电子能谱(XPS) 能带结构
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 401-405
• 分类号: O485
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.06.009

摘要

HfO2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO2的性能.采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结.X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌进行了观察,俄歇电子能谱结果发现制备的薄膜是符合化学计量比的.通过X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的禁带宽度和它相对于Ge衬底的导带、价带偏移进行了研究,结果显示其禁带宽度为(5.86±0.2) eV,HfGdO/Ge结构的价带偏移和导带偏移分别是(3.6±0.2) eV和(1.6±0.3) eV.这些数据将为HfGdO薄膜在栅介质上的应用提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱燕艳	上海电力学院数理学院	21	14	2.0	3.0
2	孙孟君	上海电力学院数理学院	1	1	1.0	1.0